[发明专利]一种四氧化三钴纳米线阵列、其制备方法以及作为锂离子电池负极的用途有效
| 申请号： | 201210002292.3 | 申请日： | 2012-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102556941A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 朱丽萍;梅伟民 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;B81C1/00;H01M4/525;H01M4/131 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 刘晓春 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种四氧化三钴纳米线阵列、其制备方法以及作为锂离子电池负极的用途。该四氧化三钴纳米线阵列，其形貌为菱形结构，菱形的边长为100nm~500nm，菱形内角的锐角为30°~60°，阵列长度为5μm~20μm。本发明还提供了制备该四氧化三钴纳米线阵列的方法，以一定摩尔比的钴盐、化学结合剂、碱性反应物和水在常温下进行混合搅拌，将混合均匀的溶液移入反应釜中，并将干净的衬底置于溶液中进行水热反应后取出冲洗，再在惰性气氛中热处理，得到四氧化三钴纳米线阵列。本发明的四氧化三钴纳米线阵列可直接作为锂离子电池负极，能明显提高电池的比容量和循环性能，放电容量高达1000mAh/g以上，是一种理想的锂离子电池电极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 纳米 阵列 制备 方法 以及 作为 锂离子电池 负极 用途 | ||
【主权项】：
一种四氧化三钴纳米线阵列，其特征在于，阵列形貌为菱形结构，菱形的边长为100nm ~ 500 nm，菱形内角的锐角为30°~60°，阵列长度为5μm ~20μm。
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