[发明专利]一种基于IGBT与SiC雪崩二极管反并联的串联电路无效
| 申请号： | 201210001820.3 | 申请日： | 2012-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102545554A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 吴锐;温家良;陈中圆;韩健;王成昊 | 申请（专利权）人： | 中国电力科学研究院 |
| 主分类号： | H02M1/06 | 分类号： | H02M1/06 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100192 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于IGBT(2)与SiC雪崩二极管(3)反并联的串联电路(1)，所述串联电路(1)包括串联的IGBT(2)及其相应的SiC雪崩二极管(3)，IGBT(2)反并联于其相应的SiC雪崩二极管(3)。本发明提供的一种基于IGBT与SiC雪崩二极管反并联的串联结构，SiC雪崩二极管对IGBT的过压抑制措施，避免了在多个IGBT串联中使用复杂的门极驱动控制和dv/dt控制，在不降低装置安全和可靠性能的前提下，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 igbt sic 雪崩 二极管 并联 串联 电路 | ||
【主权项】：
一种基于IGBT(2)与SiC雪崩二极管(3)反并联的串联电路(1)，其特征在于：所述串联电路(1)包括串联的IGBT(2)及其相应的SiC雪崩二极管(3)，IGBT(2)反并联于其相应的SiC雪崩二极管(3)。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
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