[发明专利]固态照明装置及相关联制造方法有效
| 申请号： | 201180007102.0 | 申请日： | 2011-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102742036A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 尼拉·拉纳;任在元 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明中揭示固态照明装置及相关联制造方法。在一个实施例中，一种固态照明装置包括发光二极管，所述发光二极管具有N型氮化镓(GaN)材料、与所述N型GaN材料间隔开的P型GaN材料及直接在所述N型GaN材料与所述P型GaN材料之间的氮化铟镓(InGaN)材料。所述N型GaN、InGaN及P型GaN材料中的至少一者具有非平面表面。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 照明 装置 相关 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于处理硅衬底的方法，其包含：将各向异性蚀刻剂施加到所述硅衬底的表面，所述硅衬底在所述表面处具有Si(1，0，0)晶格定向；借助所述所施加的各向异性蚀刻剂在所述硅衬底的所述表面上形成凹口，所述凹口由具有Si(1，1，1)晶格定向的至少一个平面界定；及在所述凹口的具有所述Si(1，1，1)晶格定向的所述至少一个平面上形成发光二极管结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180007102.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
