[实用新型]一种硅外延设备的进气口装置有效

专利信息
申请号: 201120479615.9 申请日: 2011-11-28
公开(公告)号: CN202415738U 公开(公告)日: 2012-09-05
发明(设计)人: 赵丽霞;刘英斌 申请(专利权)人: 河北普兴电子科技股份有限公司
主分类号: C30B25/14 分类号: C30B25/14;C30B29/06
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 夏素霞
地址: 050200 河北省石*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 实用新型公开了一种硅外延设备的进气口装置,适用于晶体硅制备技术领域。本实用新型包括石墨基座和石英托盘,所述石墨基座位于石英托盘上,且与石英托盘同心设置,在所述石墨基座的中间圆孔内同心设置有石英环。本实用新型的有益效果如下:通过在石墨基座和石英托盘之间的圆孔内设置石英环,可以在晶体硅制备过程中,防止硅外延生长时多晶硅沉积在石墨基座和石英托盘之间,导致石墨基座和石英托盘粘连在一起而影响石墨基座的使用寿命。本实用新型能够延长石墨基座和石英托盘的使用寿命,降低设备的维修成本,提高工作效率。
搜索关键词: 一种 外延 设备 进气口 装置
【主权项】:
一种硅外延设备的进气口装置,包括石墨基座(1)和石英托盘(2),所述石墨基座(1)位于石英托盘(2)上,且与石英托盘(2)同心设置,其特征在于,在所述石墨基座(1)的中间圆孔内同心设置有石英环(3)。
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