[发明专利]一种低张力ITO蚀刻液及其制备方法无效
| 申请号： | 201110461719.1 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102585832A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 殷福华;季文庆;朱龙;邵勇;栾成 | 申请（专利权）人： | 江阴江化微电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/00 | 分类号： | C09K13/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214423 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低张力ITO蚀刻液及其制备方法，所述ITO蚀刻液包括以下重量百分比的组合物：草酸3.2％～3.6％；正己酸0.1％～0.2％；水6.2％～96.6％。本发明提供的低张力ITO蚀刻液及其制备方法，通过在原有工艺的基础上新加入了添加剂正己酸，能有效降低ITO蚀刻液的表面张力，使其能够产生渗透，浸润的作用，提高草酸的蚀刻效果，使其在不影响产品质量的前提下提高产品的蚀刻效果，并使产品能在较低的环境温度下保存，避免了原有技术造成的蚀刻不干净，不能在低温下储存的缺点，本方法能适用于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 张力 ito 蚀刻 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低张力ITO蚀刻液，其特征在于，包括以下重量百分比的组合物：草酸 3.2％～3.6％；正己酸 0.1％～0.2％；水 96.2％～96.6％。
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