[发明专利]原料供给装置及成膜装置有效
申请号: | 201110460409.8 | 申请日: | 2011-12-28 |
公开(公告)号: | CN102560430A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 和村有;古屋治彦 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;C23C16/455 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供原料供给装置及成膜装置。该原料供给装置用于利用气化器使储存部内的液体原料气化并将气化而成的气体供给到半导体制造用的反应容器内,该原料供给装置包括原料供给管、第1原料排出管、清洗流体供给管、第1原料供给阀及第1原料排出阀、清洗流体供给阀,该原料供给装置以如下方式进行操作,即,在将液体原料供给到上述气化器时,使上述第1原料供给阀为打开的状态、且使第1原料排出阀及清洗流体阀分别为关闭的状态,另外,在排出液体原料时,使上述第1原料供给阀为关闭的状态、且使第1原料排出阀及清洗流体供给阀分别为打开的状态。 | ||
搜索关键词: | 原料 供给 装置 | ||
【主权项】:
一种原料供给装置,其用于利用气化器使储存部内的液体原料气化并将气化而成的气体供给到半导体制造用的反应容器内,其特征在于,该原料供给装置包括:原料供给管,其具有上升管路,该上升管路的上端侧与上述气化器连接,该上升管路的下端侧与上述储存部连接,并且,该上升管路在上下方向上延伸;第1原料排出管,其被设为自上述上升管路的下端侧分支出来;清洗流体供给管,其与上述上升管路的上端侧连接,用于供给吹扫用气体及清洗液中的一者,以将上述原料供给管内的液体原料压出而排出到上述第1原料排出管中;第1原料供给阀及第1原料排出阀,该第1原料供给阀设于上述原料供给管的比该原料供给管与第1原料排出管之间的连接部分靠储存部侧处,该第1原料排出阀设于第1原料排出管;清洗流体供给阀,其设于上述清洗流体供给管,该原料供给装置以如下方式进行操作,即,在将液体原料供给到上述气化器时,使上述第1原料供给阀为打开的状态、且使第1原料排出阀及清洗流体阀分别为关闭的状态,另外,在排出液体原料时,使上述第1原料供给阀为关闭的状态、且使第1原料排出阀及清洗流体供给阀分别为打开的状态。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的