[发明专利]一种钛基掺锡二氧化铅电极的制备方法有效

专利信息
申请号: 201110444887.X 申请日: 2011-12-28
公开(公告)号: CN102534652A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 韩卫清;张耀辉;陈勇;王连军;李红艺;孙秀云;李健生;沈锦优;刘晓东 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: C25B11/06 分类号: C25B11/06;C25B11/10;C25D11/34;C25D5/12;C25D3/56
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 朱显国
地址: 210094 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种钛基掺锡二氧化铅电极的制备方法,属于电催化电极制备技术领域。首先在钛基体表面预镀一层镍,提升铅锡层和基体的结合力,然后通过电沉积法将铅锡共沉积在镍的表层,高温热熔后再通过阳极氧化法制得钛基掺锡二氧化铅电极,电极表面均匀、致密、无裂痕,并具有较大的比表面积。本发明制备的电极具有析氧电位高,电催化活性高,并且制备工艺操作易于控制,对设备要求低,制备得到的电极能有效的处理生物难降解的有机污染物。
搜索关键词: 一种 钛基掺锡 二氧化铅 电极 制备 方法
【主权项】:
一种钛基掺锡二氧化铅电极的制备方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:第一步、采用电沉积法在钛基体上沉积镍底层;第二步、采用电沉积法在镀有镍层的钛基体上沉积铅锡层;第三步、将含铅锡层的钛基体高温热熔;第四步、采用阳极氧化法在高温热熔后的含铅锡层的钛基体上制备掺锡二氧化铅涂层。
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