[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201110429567.7 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103094431A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 傅毅耕;江仁豪;方彦翔;陈柏君;林佳锋 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，该发光二极管包括氮化镓基板、第一型半导体层、发光层、第二型半导体层以及第一电极与第二电极。氮化镓基板具有位于相反侧的第一表面以及第二表面，且第二表面具有多个突起，突起具有一高度hμm与在第二表面上的分布密度d cm-2满足：9.87×107≤h2d，且h≤1.8。第一型半导体层配置于氮化镓基板的第一表面上。发光层配置于第一型半导体层的部分区域上，发光层所发出的光波长的范围为375nm至415nm。第二型半导体层配置于发光层上。第一电极配置于第一型半导体层的部分区域上以电性连接第一型半导体层，第二电极配置于第二型半导体层的部分区域上以电性连接第二型半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括：一氮化镓基板，包含一第一表面以及一第二表面，分别位于该氮化镓基板的两侧，该第二表面具有多个突起，这些突起的高度为h μm，且在该第二表面上的分布密度为d cm‑2，其中h2d≥9.87×107，且h≤1.8；一第一型半导体层，配置于该氮化镓基板的该第一表面上；一发光层，配置于该第一型半导体层的部分区域上，该发光层所发出的光波长的范围为375nm至415nm；一第二型半导体层，配置于该发光层上；以及一第一电极以及一第二电极，其中该第一电极配置于该第一型半导体层的部分区域上，该第二电极配置于该第二型半导体层的部分区域上。
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