[发明专利]一种多耦合磁传感器有效
| 申请号： | 201110426477.2 | 申请日： | 2011-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN102520372A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 邢增平;钱华荣;徐凯;何彬 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 刘诚午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多耦合磁传感器，包括传感器本体和施加在传感器本体上的直流磁场；所述的传感器本体包括磁致伸缩材料片、通过界面的连接与磁致伸缩材料片复合的压电材料片以及通过界面的连接与磁致伸缩材料片和/或压电材料片复合的磁铁块，所述的压电材料片设有电压输出端。本发明多耦合磁传感器可简单通过边界条件调整磁伸缩-压电和磁扭-压电的相位，使得两种耦合效应叠加，获得比一般磁伸缩-压电或磁扭-压电更大的磁电耦合效应，从而输出更大的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耦合 传感器 | ||
【主权项】：
一种多耦合磁传感器，其特征在于，所述的多耦合磁传感器包括传感器本体和施加在传感器本体上的直流磁场；所述的传感器本体包括磁致伸缩材料片、通过界面的连接与磁致伸缩材料片复合的压电材料片以及通过界面的连接与磁致伸缩材料片和/或压电材料片复合的磁铁块，所述的压电材料片设有电压输出端。
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