[发明专利]一种快速准确寻找单晶引晶埚位的方法无效
申请号: | 201110420186.2 | 申请日: | 2011-12-15 |
公开(公告)号: | CN102517629A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 牛冬梅;胡荣星 | 申请(专利权)人: | 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 |
主分类号: | C30B15/20 | 分类号: | C30B15/20 |
代理公司: | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人: | 施秀瑾 |
地址: | 332005 江西省九江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 一种快速准确寻找单晶引晶埚位的方法,包括装料完成,合上炉盖炉体,将翻板阀盖上,同时打开副室炉门;将籽晶或细颈降下,直至籽晶或细颈刚触碰到翻板阀顶部的一个中心螺丝,此时把控制面板上的晶体位置清零,设为零位置A;晶体位置清零后,将籽晶上升到副室炉内,而后进行抽空检漏、三次升温加热化料;化料结束,及时开启埚转,上升埚位,下降功率,引晶前1-2小时,将籽晶分多次缓慢下降;引晶找温度前30-40分钟,将籽晶再次下降,直至下降到多炉拉过整棒时的晶体位置B;将晶体位置固定好后,将埚位缓慢上升,一直上升到液面刚好触碰到籽晶或细颈底部,此时即将埚位固定完好,埚位上升位为C,而后可将籽晶或细颈插入液面,进行引晶找温度。避免了肉眼注视液面距导流筒底部距离的不准确性,也避免了直接看埚位刻度尺因每炉次炉内硅料的不确定性。具有找位准确、稳定的特点,且操作简单、方便。 | ||
搜索关键词: | 一种 快速 准确 寻找 单晶引晶埚位 方法 | ||
【主权项】:
一种快速准确寻找单晶引晶埚位的方法,其特征在于,包括1)装料完成,合上炉盖炉体,将翻板阀盖上,同时打开副室炉门;2)将籽晶或细颈降下,直至籽晶或细颈刚触碰到翻板阀顶部的一个中心螺丝,此时把控制面板上的晶体位置清零,设为零位置A;3)晶体位置清零后,将籽晶上升到副室炉内,而后进行抽空检漏、三次升温加热化料;4)化料结束,及时开启埚转,上升埚位,下降功率,引晶前1‑2小时,将籽晶分多次缓慢下降;5)引晶找温度前30‑40分钟,将籽晶再次下降,直至下降到多炉拉过整棒时的晶体位置B;6)将晶体位置固定好后,将埚位缓慢上升,一直上升到液面刚好触碰到籽晶或细颈底部,此时即将埚位固定完好,埚位上升位为C,而后可将籽晶或细颈插入液面,进行引晶找温度。
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