[发明专利]一种AlZnO紫外光电阴极材料及其紫外真空光电管无效
| 申请号： | 201110408537.8 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102385939A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 邓宏;韦敏;邓雪然 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01B1/08 | 分类号： | H01B1/08;H01J40/06;H01J40/16 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种AlZnO紫外光电阴极材料及其紫外真空光电管，属于电子材料与元器件技术领域。所述AlZnO紫外光电阴极材料，包括衬底基片、沉积于衬底基片表面的金属底电极和沉积于衬底金属底电极表面的AlZnO合金薄膜；所述AlZnO合金薄膜的化学式为AlxZn1-xO1+0.5x，其中0.2≤x≤0.7。所述紫外真空光电管，包括真空封装的所述AlZnO紫外光电阴极和阳极。本发明提供的AlZnO紫外光电阴极材料及其紫外真空光电管，将化学组成为AlxZn1-xO1+0.5x(0.2≤x≤0.7)的三元合金薄膜作为紫外光电阴极材料，其光学吸收边可蓝移至300nm以内，能够满足紫外光日盲区探测要求，且具有制备方法简单、成本较低、无毒环保的特点。本发明可广泛应用于紫外探测技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 alzno 紫外 光电 阴极 材料 及其 真空 光电管 | ||
【主权项】：
一种AlZnO紫外光电阴极材料，包括衬底基片、沉积于衬底基片表面的金属底电极和沉积于衬底金属底电极表面的AlZnO合金薄膜；所述AlZnO合金薄膜的化学式为AlxZn1 xO1+0.5x，其中0.2≤x≤0.7。
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