[发明专利]一种大分子单体修饰的量子点、制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201110407334.7 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102492068A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 陈苏;朱琳;周进;高德康;王文洪 | 申请（专利权）人： | 江苏康纳思光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C08F120/06 | 分类号： | C08F120/06;C08F293/00;C08F220/18;C08F2/38;C08F8/42;C09K11/88;C09K11/56;H01L33/50 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 郭百涛 |
| 地址： | 215500 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大分子单体修饰的量子点，此类量子点以催化链转移聚合制备的大分子单体为配体，具有较窄的荧光发射光谱，发光效率高，稳定性好的特点。本发明的大分子单体修饰的荧光量子点，其粒径为2～20nm，水溶性，量子产率为20～95％，光致发光谱的半峰宽为20～80nm，所述的荧光量子点为ZnxCd1-xS、ZnxCd1-xTe、ZnxCd1-xSe中的一种，其中0≤x≤1；所述的大分子单体作为配体为聚甲基丙烯酸、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸羟乙酯、聚甲基丙烯酸羟丙酯或聚甲基丙烯酸-b-聚丙烯酸丁酯嵌段共聚物中的一种，大分子单体与金属离子的摩尔比为0.5∶1～5∶1。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大分子 单体 修饰 量子 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种大分子单体修饰的荧光量子点，其特征在于：大分子单体修饰的荧光量子点的粒径为2～20nm，水溶性，量子产率为20～95％，光致发光谱的半峰宽为20～80nm，所述的荧光量子点为ZnxCd1‑xS、ZnxCd1‑xTe、ZnxCd1‑xSe中的一种，其中0≤x≤1；或者所述的荧光量子点为CdTe/CdS、CdTe/ZnS、CdS/ZnS、CdTe/CdSe、CdTe/CdS/ZnS、CdTe/CdS/CdS、CdS/CdTe/CdS、CdTe/CdS/ZnS、CdTe/CdSe/CdTe或CdTe/CdSe/ZnS量子点；所述的大分子单体作为配体为聚甲基丙烯酸、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸羟乙酯、聚甲基丙烯酸羟丙酯或聚甲基丙烯酸‑b‑聚丙烯酸丁酯嵌段共聚物中的一种，大分子单体与金属离子的摩尔比为0.5∶1～5∶1。
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