[发明专利]多介质耦合三维光子晶体及其设计制造方法有效

专利信息
申请号: 201110406205.6 申请日: 2011-12-08
公开(公告)号: CN102520480A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 李涤尘;梁庆宣;杨改;孙坤;田小永 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: G02B6/122 分类号: G02B6/122;G02B6/13
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 王艾华
地址: 710049*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种多介质耦合三维光子晶体及其设计制造方法,在较宽频率内具有超宽带隙并且容易制造的多介质耦合三维光子晶体。根据本发明的多介质耦合三维光子晶体中周期性包含了多种不同介电常数的介质材料。所述光子晶体中包括周期性层叠和交叉两种形式,采用快速成型结合多步注模法来制备,本发明中的光子晶体包含两种以上的介质材料,多种介质材料之间的介电常数比(折射率比)加强了布拉格散射,得到了比单一介质材料光子晶体更宽的带隙。
搜索关键词: 介质 耦合 三维 光子 晶体 及其 设计 制造 方法
【主权项】:
多介质耦合三维光子晶体,其特征在于,多介质耦合三维光子晶体中周期性包含了多种不同介电常数的介质材料,所述光子晶体中包括周期性层叠和交叉两种形式:周期性层叠的多介质耦合三维光子晶体是指:将三维光子晶体结构平均分为两部分或更多部分,在每一部分中分别填充不同介电常数的介质,最后形成同时含有多种不同介电常数介质的光子晶体;周期性交叉的多介质三维光子晶体是指:将具有周期性三维结构的光子晶体中,第一层填充第一种介质,第二层填充第二种介质,第三层再填充第一种介质,第四层再填充第二种介质,以此类推;或者是每一层中交叉填充不同介质;或者两种介质相互嵌套填充形成多介质光子晶体。
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