[发明专利]一种超声场与细化剂复合细化AZ31镁合金晶粒的方法无效
申请号: | 201110400274.6 | 申请日: | 2011-12-05 |
公开(公告)号: | CN102409209A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 郝海;张爱民;季首华;张兴国 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | C22C23/00 | 分类号: | C22C23/00;C22C1/02;C22C1/06;C22F3/02 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 侯明远 |
地址: | 116024*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种超声场与细化剂复合细化AZ31镁合金晶粒的方法,属于镁合金铸造技术领域。其特征是,首先在镁合金熔剂的保护下将AZ31镁合金熔化,升温到780℃时加入由SiC陶瓷微粒和镁粉组成的细化剂,细化剂加入量为镁合金熔体质量分数的0.2%-1%,保温20分钟后搅拌使细化剂在熔体中分散开,继续保温10分钟后用氩气精炼,680℃-700℃时加超声场处理2分钟后浇注。本发明的效果和益处是操作工艺简单,生产成本低,对AZ31镁合金的细化效果好,并且使其强度和韧性得到了显著提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 声场 细化 复合 az31 镁合金 晶粒 方法 | ||
【主权项】:
一种超声场与细化剂复合细化AZ31镁合金晶粒的方法,其特征是,将SiC陶瓷微粒与Mg粉按质量比为1∶2均匀混合后压成块,SiC陶瓷微粒尺寸为2‑3微米,烘干制成细化剂;压块力为10‑15MPa,烘干温度为不高于300℃;用熔剂保护熔化AZ31镁合金,升温到780℃后加入镁合金熔体质量分数为0.2%‑1%的细化剂,保持20分钟后搅拌,继续保持10分钟后吹氩气精炼,680℃‑700℃超声处理后立即浇注;超声处理镁合金熔体时的功率为350瓦,处理时间为2分钟。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学,未经大连理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110400274.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高可信度电子病历证明方法
- 下一篇:电磁式下渣检测控制系统