[发明专利]离子注入机有效
| 申请号： | 201110391312.6 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103137447A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 王蒙;李勇滔;赵章琰;李超波;夏洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子注入机，包括电源系统、反应腔室、预抽腔室、真空控制系统、送片系统及送气系统。所述真空控制系统分别与所述反应腔室、所述预抽腔室连接；所述反应腔室与所述预抽腔室连接；所述送片系统用于将硅片从所述预抽腔室运输至所述反应腔室，并将硅片运输至所述反应腔室内的离子反应位置；所述送气系统用于向所述反应腔室通入反应与吹扫气体。本发明舍弃了原有离子注入机的注入方式，去除了质量分析、离子束聚焦与扫描系统等复杂的结构，提供了一种结构简单可用于大面积注入的离子注入机。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 | ||
【主权项】：
一种离子注入机，包括电源系统，其特征在于，还包括：反应腔室、预抽腔室、真空控制系统、送片系统及送气系统；所述真空控制系统分别与所述反应腔室、所述预抽腔室连接；所述反应腔室与所述预抽腔室连接；所述送片系统用于将硅片从所述预抽腔室运输至所述反应腔室，并将硅片运输至所述反应腔室内的离子反应位置；所述送气系统用于向所述反应腔室通入反应与吹扫气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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