[发明专利]一种高比表面积、大隧道结构的纳米二氧化锰电极材料的低温制备方法无效
申请号: | 201110383414.3 | 申请日: | 2011-11-28 |
公开(公告)号: | CN102502852A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 温祖标;蔡明中 | 申请(专利权)人: | 江西师范大学 |
主分类号: | C01G45/02 | 分类号: | C01G45/02;B82Y40/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 330000 *** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 一种高比表面积、大隧道结构的纳米二氧化锰电极材料的低温制备方法,制备方法如下:(1)原料组份质量百分比如下:硫酸锰8~13%、过硫酸铵10~17%、硫酸铵70~82%、稀硫酸(质量分数为10~40%)3~10滴;(2)将上述原料均匀混合后溶于80~200mL水中,在60~90℃下于反应釜中反应300~720min后,过滤、烘干,则可得到本发明的具有结晶度高、隧道结构大、比表面积大、电阻低、循环性能稳定的纳米级MnO2电极材料。本发明的技术效果是:(1)低温水热法制备的MnO2是纳米材料。(2)低温水热法制备的MnO2具有结晶度高。(3)能制备比表面积大、性能稳定的纳米级二氧化锰,可期用于工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 表面积 隧道 结构 纳米 二氧化锰 电极 材料 低温 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高比表面积、大隧道结构的纳米二氧化锰电极材料的低温制备方法,其特征是制备方法如下:(1)原料组份质量百分比如下:硫酸锰8~13%、过硫酸铵10~17%、硫酸铵70~82%、质量分数为10~40%硫酸3~10滴;(2)将上述原料均匀混合后溶于80~200mL水中,在60~90℃下于反应釜中反应300~720min后,过滤、烘干,则可得到本发明的具有结晶度高、隧道结构大、比表面积大、电阻低、循环性能稳定的纳米级MnO2电极材料。
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