[发明专利]一种晶体生长用坩埚的清理方法无效
| 申请号： | 201110382131.7 | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102430552A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 蔡建华;段金柱;赵杰红;樊志远;王勤峰;徐秋峰;段斌斌 | 申请（专利权）人： | 天通控股股份有限公司 |
| 主分类号： | B08B9/08 | 分类号： | B08B9/08 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 吴关炳 |
| 地址： | 314412 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶体生长用坩埚的清理方法，特别是柴氏长晶法长晶后坩埚内余留原材料的清理方法。本发明中所述的坩埚为依坩埚，清理方法依次包括加热、急冷、破碎、清洗和二次加热步骤，其中：加热：将坩埚置于恒温箱内加热至350℃~500℃，恒温时间至少2h；急冷：用纯水于瞬间将坩埚冷却，使坩埚内残留原料产生龟裂；破碎：用气凿对坩埚内残留原料进行破碎并清除；清洗：先用盐酸对坩埚进行浸泡清洗，然后用纯水清洗；二次加热：将坩埚再次加热至1100℃~1200℃，并保温至少30min。采及本方法处理，不会导致坩埚损坏，贵金属的投资成本可控；可确保坩埚内的整洁性，完全避免坩埚残留料对下一批次的晶体成长的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 坩埚 清理 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体生长用坩埚的清理方法，适用于柴氏长晶法长晶后坩埚内残留原料的清理，所述坩埚为依坩埚，其特征在于，依次包括加热、急冷、破碎、清洗和二次加热步骤，其中： ⑴加热：将坩埚置于恒温箱内加热至350℃~500℃；⑵急冷：用纯水于瞬间将坩埚冷却，使坩埚内残留原料产生龟裂；⑶破碎：用气凿对坩埚内残留原料进行破碎并清除；⑷清洗：先用盐酸对坩埚进行浸泡清洗，然后用纯水清洗；⑸二次加热：将坩埚再次加热至1100℃~1200℃，并保温至少30min。
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