[发明专利]一种采用多层介质膜反射的垂直结构发光二极管制作方法无效
| 申请号： | 201110379687.0 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN103137793A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 郭德博 | 申请（专利权）人： | 同方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种采用多层介质膜反射的垂直结构发光二极管制作方法，涉及半导体光电器件。本发明方法包括步骤：①在蓝宝石衬底上外延生长GaN基外延层；②在p型GaN基半导体层上沉积多层介质膜，去除部分区域的多层介质膜，露出p型GaN半导体层表面；③在多层介质膜及暴露的p型GaN半导体层上表面沉积欧姆接触金属层；④在欧姆接触金属层上表面沉积电镀种子层；⑤在电镀种子层上表面形成金属衬底；⑥将蓝宝石衬底去除，并将器件倒置；⑦在n型GaN基半导体层上表面沉积p型电极；⑧在金属衬底下表面沉积n型电极。本发明采用多层介质膜进一步提高垂直结构发光二极管p型GaN欧姆接触层的反射率，从而有效提高GaN基垂直结构发光二极管的光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 多层 介质 反射 垂直 结构 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种采用多层介质膜反射的垂直结构发光二极管制作方法，它包括步骤：①在蓝宝石衬底(100)上外延生长GaN基外延层(101)，GaN基外延层(101)从下至上依次包括n型GaN基半导体层、活性层和p型GaN半导体层；②在p型GaN基半导体层上沉积多层介质膜(102)，去除部分区域的多层介质膜(102)，露出p型GaN半导体层表面；③在多层介质膜(102)及暴露的p型GaN半导体层上表面沉积具有高反射率的欧姆接触金属层(103)；④在欧姆接触金属层(103)上表面沉积电镀种子层(104)；⑤在电镀种子层(104)上表面通过电镀的方式形成金属衬底(105)；⑥将蓝宝石衬底(100)去除，并将器件倒置；⑦在n型GaN基半导体层上表面沉积p型电极(107)；⑧在金属衬底(105)下表面沉积n型电极(106)。
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