[发明专利]一种松树状纳米阵列场发射阴极制备方法无效
| 申请号： | 201110366419.5 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN103117199A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 刘永刚;孔令民;王世来;黄文君;姚建明 | 申请（专利权）人： | 浙江海洋学院 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/304;B81C1/00;C23C14/24;C23C14/08 |
| 代理公司： | 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 | 代理人： | 袁忠卫;毛大林 |
| 地址： | 316111 浙江省舟山市普*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种松树状纳米阵列场发射阴极制备方法，包括如下步骤：步骤①：在抽真空的封闭环境下，加热蒸发钼粉；步骤②：冷却并在一悬置在钼粉上方的硅片衬底表面沉积形成二氧化钼纳米阵列。本发明提供的松树状纳米阵列场发射阴极制备方法将蒸发的钼原子与真空中残余的氧反应，并在硅衬底表面进行沉积，从而实现在纳米尺度上对材料进行精确控制，进而生长出多级结构的二氧化钼纳米阵列，所得纳米阵列可作为场发射显示器阴极发射体以及其它器件中的电子发射体；所制备的纳米阵列场发射阴极对电场产生多级放大作用，并增加场发射电流密度，在电流密度达到10μA/cm2时的开启场强为2.39V/μm，其场增强因子高达3590。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 松树 纳米 阵列 发射 阴极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种松树状纳米阵列场发射阴极制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤①：在抽真空的封闭环境下，加热蒸发钼粉；步骤②：冷却并在一悬置在钼粉上方的硅片衬底表面沉积形成二氧化钼纳米阵列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江海洋学院，未经浙江海洋学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110366419.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
