[发明专利]复合集成传感器结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种复合集成传感器结构及其制造方法，该方法包括：提供基底，在其上形成掺杂区域；在基底表面淀积绝缘层；刻蚀绝缘层和基底形成槽；在基底表面和槽侧壁与底部淀积含掺杂元素的阻挡层；将其中的掺杂元素扩散至基底内，形成重掺杂层；去除槽底部的阻挡层，在槽侧壁上形成侧壁保护层；以侧壁保护层和绝缘层为掩模，继续刻蚀槽，形成深槽；腐蚀深槽，在基底内部形成腔体；在侧壁保护层之间填满隔离和/或填充材料；在基底表面制作导电引线和电极；在加速度传感器的区域淀积质量块，并作图形化；在质量块的周围形成隔离槽，质量块以悬臂形式与基底相连接。本发明采用正面的、与常规半导体工艺相兼容的工艺，具有实用、经济、高性能等优点。

主权项

一种复合集成传感器结构的制造方法，所述复合集成传感器结构包括加速度传感器、温度传感器和压力传感器，所述制造方法包括步骤：提供基底(101)，在所述基底(101)上形成掺杂区域(102)，分别作为所述压力传感器的压阻阵列(004)、所述加速度传感器的压阻单元(007)和所述温度传感器单元(006)；在所述基底(101)的表面淀积绝缘层(103)；依次刻蚀所述绝缘层(103)和所述基底(101)，在所述基底(101)中形成用于制作腔体(109)的槽(104)；在所述基底(101)的表面和所述槽(104)的侧壁与底部淀积含高浓度掺杂元素的阻挡层(105)；将所述阻挡层(105)中的掺杂元素扩散至所述槽(104)与所述阻挡层(105)接触的基底表面内，在所述槽(104)的侧壁与底部形成重掺杂层(106)；去除所述绝缘层(103)的表面和所述槽(104)的底部的所述阻挡层(105)，在所述槽(104)的侧壁上形成侧壁保护层；以所述侧壁保护层和所述绝缘层(103)为掩模，继续刻蚀所述槽(104)，形成深槽(108)；采用湿法腐蚀法腐蚀所述深槽(108)，在所述基底(101)的内部分别形成所述压力传感器和所述加速度传感器的腔体(109)；在所述槽(104)的侧壁保护层之间填满隔离和/或填充材料(110)，形成插塞结构，将所述腔体(109)与外界隔离；在所述基底(101)的表面制作导电引线和电极(111)；在所述加速度传感器的区域淀积质量块(112)，并对其作图形化；在所述质量块(112)的周围形成隔离槽(113)，所述隔离槽(113)穿透所述加速度传感器的腔体(109)上方的基底(101)，所述质量块(112)以悬臂形式与所述基底(101)相连接。