[发明专利]一种晶体硅重扩磷吸杂酸腐去杂的制备方法

摘要

一种晶体硅重扩磷吸杂酸腐去杂的制备方法，包括以下步骤：提供单晶硅片进行表面织构化；在硅片的背面贴上磷脂，将硅片放入扩散炉中双面扩散，在硅片的背面形成重掺杂达到吸杂的效果；采用湿法刻蚀将硅片四周的PN结与背面重扩吸杂形成的杂质层去除；然后PECVD沉积钝化减反膜；丝网印刷背面银电极、背面铝背场和正面银电极，烧结形成欧姆接触。本发明提供太阳能电池重扩磷吸杂酸腐去除杂质层，在扩散的硅片正面达到合适的方块电阻的同时可以在硅片的背面的形成一层磷重扩层达到吸杂的效果，在刻蚀四周N层的同时可以将背面吸杂层一同去除。

主权项

一种晶体硅重扩磷吸杂酸腐去杂的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供太阳能电池用的单晶硅片，对单晶硅片表面去除损伤层并形成织构化绒面结构；在硅片的背面贴上一层磷脂；将硅片插入石英舟中，在850‑900℃中进行双面重扩散，在硅片的正面形成方块电阻55‑65 Ω；背面方块电阻在30‑40 Ω；采用等离子刻蚀的方法去除硅片四周的PN结，达到前后表面PN结的隔离；采用湿法刻蚀将硅片四周的N层去除，同时也将背面形成的重掺杂区去除，达到去除杂质的目的；采用等离子体化学气相沉积的方法在硅片表面沉积一层氮化硅钝化减反膜；采用丝网印刷技术对电池背电极、背电场、正面电极依次印刷，背电极印刷银浆，背电场印刷铝浆，正面电极印刷银浆；通过烧结形成良好的欧姆接触。