[发明专利]二氧化钛基聚吡咯夹套纳米管阵列及制备方法和储能应用无效
| 申请号： | 201110364153.0 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102418148A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 谢一兵;杜洪秀 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C30B29/66 | 分类号： | C30B29/66;C30B29/00;C30B30/02;C25B3/00;H01G9/042 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 汤志武 |
| 地址： | 211189 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种二氧化钛基聚吡咯夹套纳米管阵列，包括管墙独立结构的二氧化钛纳米管阵列和在二氧化钛纳米管内壁面、外壁面上均匀沉积的聚吡咯导电膜。一种二氧化钛基聚吡咯夹套纳米管阵列的制备方法，以管墙独立结构的二氧化钛纳米管阵列作为电极基体，以吡咯单体和高氯酸锂的乙氰溶液为工作电解质，采用脉冲伏安法进行电聚合反应，在二氧化钛纳米管的外壁面和内壁面上分别形成均匀完整的聚吡咯导电膜，得到由沉积在二氧化钛纳米管内壁面上的聚吡咯导电膜、二氧化钛纳米管及沉积在二氧化钛纳米管外壁面上的聚吡咯导电膜构成的同心轴中空结构的夹套纳米管阵列。一种二氧化钛基聚吡咯夹套纳米管阵列作为超级电容器电极材料进行电化学储能的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 钛基聚 吡咯 纳米 阵列 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种二氧化钛基聚吡咯夹套纳米管阵列，其特征在于：包括管墙独立结构的二氧化钛纳米管阵列和在二氧化钛纳米管(I)内壁面、外壁面上均匀沉积的聚吡咯导电膜，由沉积在二氧化钛纳米管内壁面上的聚吡咯导电膜(II)、二氧化钛纳米管(I)及沉积在二氧化钛纳米管外壁面上的聚吡咯导电膜(III)形成同心轴中空结构的夹套纳米管阵列，夹套纳米管的管壁厚度范围为50‑80nm，管内直径范围为30‑90nm，管高度范围为900‑1100nm。
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