[发明专利]一种用于PECVD多点进气多区可调装置有效
申请号: | 201110358404.4 | 申请日: | 2011-11-11 |
公开(公告)号: | CN103103500B | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 赵科新;赵崇凌;李士军;张健;张冬;洪克超;徐宝利;钟福强;陆涛;许新;王刚;刘兴;郭玉飞;王学敏;李松 | 申请(专利权)人: | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/50 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 白振宇 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于涉及微电子技术领域,特别涉及一种用于PECVD带有可以提高大面积镀膜均匀性的多点进气多区可调装置。包括排气区体、进水管、回水管、硅烷进气口及氨气进气口,其中进水管、回水管、硅烷进气口及氨气进气口均布置在排气区体上。具有该多点进气多区可调装置的PECVD能够一次处理多个电池片,该装置可以提高SiN膜层厚度的均匀性,从而具有较高的产能,提高了PECVD设备的生产效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 pecvd 多点 进气多区 可调 装置 | ||
【主权项】:
一种用于PECVD多点进气多区可调装置,其特征在于:包括排气区体、进水管(4)、回水管(8)、硅烷进气口(5)及氨气进气口(6),其中进水管(4)、回水管(8)、硅烷进气口(5)及氨气进气口(6)均布置在排气区体上;所述排气区体包括第一排气区(1)、第二排气区(2)及第三排气区(3),各工艺区域分别安装有进气装置和排气装置,各工艺区域的进气装置分别由各自的气源进气,在气源与各进气装置之间安装有至少一个质量流量计。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的