[发明专利]一种用于PECVD多点进气多区可调装置有效

专利信息
申请号: 201110358404.4 申请日: 2011-11-11
公开(公告)号: CN103103500B 公开(公告)日: 2015-05-13
发明(设计)人: 赵科新;赵崇凌;李士军;张健;张冬;洪克超;徐宝利;钟福强;陆涛;许新;王刚;刘兴;郭玉飞;王学敏;李松 申请(专利权)人: 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/50
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 白振宇
地址: 110168 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明属于涉及微电子技术领域,特别涉及一种用于PECVD带有可以提高大面积镀膜均匀性的多点进气多区可调装置。包括排气区体、进水管、回水管、硅烷进气口及氨气进气口,其中进水管、回水管、硅烷进气口及氨气进气口均布置在排气区体上。具有该多点进气多区可调装置的PECVD能够一次处理多个电池片,该装置可以提高SiN膜层厚度的均匀性,从而具有较高的产能,提高了PECVD设备的生产效率。
搜索关键词: 一种 用于 pecvd 多点 进气多区 可调 装置
【主权项】:
一种用于PECVD多点进气多区可调装置,其特征在于:包括排气区体、进水管(4)、回水管(8)、硅烷进气口(5)及氨气进气口(6),其中进水管(4)、回水管(8)、硅烷进气口(5)及氨气进气口(6)均布置在排气区体上;所述排气区体包括第一排气区(1)、第二排气区(2)及第三排气区(3),各工艺区域分别安装有进气装置和排气装置,各工艺区域的进气装置分别由各自的气源进气,在气源与各进气装置之间安装有至少一个质量流量计。
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