[发明专利]基于BeZnO的MSM结构的紫外光探测器及制备方法无效
申请号: | 201110354878.1 | 申请日: | 2011-11-10 |
公开(公告)号: | CN102412334A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 汤子康;张权林;陈明明;苏龙兴;苏宇泉;祝渊;吴天准;桂许春;项荣 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/108;H01L31/0352;H01L31/0296;H01L31/18 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 陈卫 |
地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于BeZnO的MSM结构的紫外光探测器,包括衬底及生长于衬底上的外延层,所述外延层包括应力缓冲层与设在应力缓冲层上的BeZnO掺杂层,所述BeZnO掺杂层上镀有叉指结构或者间隙结构的电极。本发明在衬底与BeZnO掺杂层之间插入应力缓冲层。若BeZnO掺杂层掺杂的合金薄膜与衬底晶格失配较大,在外延生长过程中会产生导致合金薄膜的晶格质量变差的应力,而应力缓冲层则可以释放应力,改善BeZnO掺杂层的质量。本发明BeZnO基MSM结构的紫外光探测器的BeZnO掺杂层是该日盲探测器件的核心。且,本发明的BeZnO掺杂层通过掺入其它金属元素(如镁),改善其合金的晶体质量,使截止波长达到280nm以下,可以探测近紫外到深紫外的范围,从而使BeZnO掺杂层吸收日盲区240nm~250nm及其以下的波长。 | ||
搜索关键词: | 基于 bezno msm 结构 紫外光 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于BeZnO的MSM结构的紫外光探测器,其特征在于:包括衬底(1)及生长于衬底(1)上的外延层,所述外延层包括应力缓冲层(2)与设在应力缓冲层(2)上的BeZnO掺杂层(3),所述BeZnO掺杂层(3)上镀有叉指结构(5)或者间隙结构(6)的电极层(4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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