[发明专利]基于BeZnO的MSM结构的紫外光探测器及制备方法无效

专利信息
申请号: 201110354878.1 申请日: 2011-11-10
公开(公告)号: CN102412334A 公开(公告)日: 2012-04-11
发明(设计)人: 汤子康;张权林;陈明明;苏龙兴;苏宇泉;祝渊;吴天准;桂许春;项荣 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: H01L31/101 分类号: H01L31/101;H01L31/108;H01L31/0352;H01L31/0296;H01L31/18
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 陈卫
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种基于BeZnO的MSM结构的紫外光探测器,包括衬底及生长于衬底上的外延层,所述外延层包括应力缓冲层与设在应力缓冲层上的BeZnO掺杂层,所述BeZnO掺杂层上镀有叉指结构或者间隙结构的电极。本发明在衬底与BeZnO掺杂层之间插入应力缓冲层。若BeZnO掺杂层掺杂的合金薄膜与衬底晶格失配较大,在外延生长过程中会产生导致合金薄膜的晶格质量变差的应力,而应力缓冲层则可以释放应力,改善BeZnO掺杂层的质量。本发明BeZnO基MSM结构的紫外光探测器的BeZnO掺杂层是该日盲探测器件的核心。且,本发明的BeZnO掺杂层通过掺入其它金属元素(如镁),改善其合金的晶体质量,使截止波长达到280nm以下,可以探测近紫外到深紫外的范围,从而使BeZnO掺杂层吸收日盲区240nm~250nm及其以下的波长。
搜索关键词: 基于 bezno msm 结构 紫外光 探测器 制备 方法
【主权项】:
一种基于BeZnO的MSM结构的紫外光探测器,其特征在于:包括衬底(1)及生长于衬底(1)上的外延层,所述外延层包括应力缓冲层(2)与设在应力缓冲层(2)上的BeZnO掺杂层(3),所述BeZnO掺杂层(3)上镀有叉指结构(5)或者间隙结构(6)的电极层(4)。
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