[发明专利]一种钼酸钴纳米棒结构控制的方法

摘要

本发明涉及一种钼酸钴纳米棒结构控制的方法，其以硫酸钴和钼酸铵为反应原料，采用聚乙二醇为结构导向剂，溶剂选用蒸馏水，在微波辐射反应器中调控材料的生长方向。制备的钼酸钴纳米棒材料的直径为20～30纳米、长度为1.5～3.0微米；多根纳米棒聚集成束状，并相互交联城多孔结构。采用聚乙二醇辅助微波辐射技术在合成过程中可可明显导向材料的一维生长特性、明显缩短反应时间、利于结构导向剂在微波体系中均匀地吸附在晶核表面；另外，钼酸钴纳米棒因微观结构的规整性，有望明显提升其在电化学和催化转化应用领域的综合性能。

主权项

本发明专利涉及一种钼酸钴纳米棒结构控制的方法，其以硫酸钴和钼酸铵为反应原料，采用聚乙二醇为结构导向剂，溶剂选用蒸馏水，在微波辐射反应器中调控材料的生长方向，包括如下实验步骤：第一、在室温下，分别配制硫酸钴与聚乙二醇结构导向剂的混合溶液、钼酸铵溶液；第二、将上述两种溶液转移至反应容器中，并充分搅拌10分钟，使反应原料和结构导向剂充分混合均匀；第三、待搅拌完毕后，将反应容器转移至常压微波辐射反应装置中作用30分钟；第四、反应结束后，先将所得超细产物离心分离，然后用蒸馏水洗涤3～5次、无水乙醇洗涤2次，以去除反应过程中非目标产物的化合物，以得到设计合成的目标产物，最后在50℃恒温常压环境中干燥48小时，便制备了钼酸钴纳米棒材料，其分子式为CoMoO4。