[发明专利]网格状CuxS/Cu2O,x=1.75~2复合类金字塔薄膜的制备方法

摘要

一种网格状CuxS/Cu2O，x＝1.75～2复合类金字塔薄膜的制备方法，具体作法是：将方块面电阻为10-14欧的FTO，依次用HCl溶液、洗衣粉溶液、异丙醇溶剂超声洗净，晾干；取含CuSO4和乳酸的混合溶液，以FTO为工作电极，铂片为对电极，采用电压法沉积；沉积后取出FTO，清洗烘干得Cu2O类金字塔薄膜的FTO；再将其放入Na2S溶液中处理，清洗烘干即在FTO上得网格状CuxS/Cu2O复合类金字塔薄膜。该方法设备简单，能耗低，适合大规模生产；制得物对太阳光吸收波长范围宽，作为太阳能电池材料具有应用前景；可作为模版和反应介质直接合成其它具有窄禁带宽度的类金字塔形化合物，作为太阳能电池材料。

主权项

一种网格状CuxS/Cu2O，x＝1.75～2复合类金字塔薄膜的制备方法，其具体作法是：a、掺杂氟的SnO2透明导电玻璃的清洗(1)将方块面电阻为10‑14欧的掺杂氟的SnO2透明导电玻璃，在0.1‑0.3M的HCl溶液中，超声30‑40min去除无机离子；(2)用去离子水冲洗干净后，放入5‑10％的洗衣粉溶液，70℃超声2‑2.5小时；(3)再用异丙醇溶剂超声30‑40min；(4)去离子水洗净、晾干；b、电化学沉积Cu2O取含CuSO4和乳酸的混合溶液，混合溶液中CuSO4浓度为4‑5mol/L，乳酸浓度为3‑5mol/L；乳酸为螯合剂，用NaOH溶液调节混合溶液的pH到12；然后，以FTO为工作电极，铂片为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，恒温65℃下恒电压法沉积，沉积电压为‑0.3V，时间为15‑40min，沉积过程中一直搅拌，搅拌速度为60‑100转/分；沉积完成后取出FTO，用去离子水清洗3遍，烘干得到沉积有Cu2O类金字塔薄膜的FTO；c、硫化将b步沉积有Cu2O的FTO，放入浓度为0.05‑0.07mol/L的Na2S溶液中硫化处理60s，取出用去离子水清洗2‑3遍，烘干即在FTO上得到网格状CuxS/Cu2O复合类金字塔薄膜。