[发明专利]漏极饱和电流仿真电路有效
| 申请号： | 201110341958.3 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102436526A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 吉远倩 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种漏极饱和电流仿真电路，至少包括：偏置电压产生电路，用以产生偏置电压；一NMOS晶体管，其源极及衬底接地，栅极与漏极与该偏置电压产生电路相连；以及一PMOS晶体管，其漏极与栅极接地，源极及衬底与该偏置电压产生电路相连，通过在同一仿真电路中利用单一电压源同时对PMOS管及NMOS管漏极饱和电流进行仿真，本发明克服了现有技术中对PMOS管及NMOS管漏极饱和电流分别进行仿真需重新改变偏置条件及模型名称的问题，简化了仿真过程。 | ||
| 搜索关键词： | 饱和 电流 仿真 电路 | ||
【主权项】：
一种漏极饱和电流仿真电路，至少包括：偏置电压产生电路，用以产生偏置电压；一NMOS晶体管，其源极及衬底接地，栅极与漏极与该偏置电压产生电路相连；以及一PMOS晶体管，其漏极与栅极接地，源极及衬底与该偏置电压产生电路相连。
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