[发明专利]一种基于透明导电层的黑硅太阳能电池及制备方法有效

专利信息
申请号: 201110338693.1 申请日: 2011-10-31
公开(公告)号: CN102361039A 公开(公告)日: 2012-02-22
发明(设计)人: 陈宏彦;朱亦鸣;彭滟;张冬生;温雅 申请(专利权)人: 上海理工大学
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 上海东创专利代理事务所(普通合伙) 31245 代理人: 宁芝华
地址: 200093 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种基于透明导电层的黑硅太阳能电池,结构层自下而上依次为:银抗氧化层、铝导电层、P型硅层、黑硅吸收层和ITO透明导电层,其中铝导电层为太阳能电池的正极,ITO透明导电层为太阳能电池的负极。基于透明导电层的黑硅太阳能电池的制备方法:先对对P型硅层清洗;采用直流溅射法在P型硅层的一面制备铝导电层;采用离子束溅射的方法,在铝导电层下方制备银抗氧化层;将制成的样品置于密封腔内,在P型硅层未镀膜的一面用飞秒激光器加工出黑硅吸收层;再将样品置于管式气氛炉中进行退火;最后在黑硅吸收层上方采用离子束溅射方法制备ITO透明导电层。本发明可有效减少黑硅吸收层表面能量转移损耗,大幅提升黑硅太阳能电池的能量转换效率。
搜索关键词: 一种 基于 透明 导电 太阳能电池 制备 方法
【主权项】:
一种基于透明导电层的黑硅太阳能电池,其特征在于:结构层自下而上依次为:银抗氧化层、铝导电层、P型硅层、黑硅吸收层和ITO透明导电层,其中铝导电层为太阳能电池的正极,ITO透明导电层为太阳能电池的负极。
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