[发明专利]嵌入式PECVD载片器无效
申请号: | 201110338132.1 | 申请日: | 2011-10-31 |
公开(公告)号: | CN102392227A | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | 尤耀明;代宁;李文虎 | 申请(专利权)人: | 无锡绿波新能源设备有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;H01L31/18 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
地址: | 214092 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种载片器,具体地说是一种嵌入式PECVD载片器,属于太阳能电池镀膜技术领域。其包括正方形的框体,所述框体的边长与第一种规格的硅片载体器的边长相等,框体一面为第一正方形,另一面为第二正方形,两者在高度上形成台阶。所述第一正方形尺寸大于待加工硅片尺寸,且其四个角均加工成工艺圆角。所述第二正方形为镂空正方形。本发明省去了下镀膜方式需在载片器上面安装的挂钩;采用上镀膜方式,工艺气体直接在硅片的上表面产生沉积物,所以不会形成像下镀膜方式中挂钩对硅片遮挡而形成的镀膜瑕疵、改善了硅片的外观,提高了硅片的转化效率;涉及的嵌入式载片器加工性好,便于维护,对用户而言也降低了产品的维护成本。 | ||
搜索关键词: | 嵌入式 pecvd 载片器 | ||
【主权项】:
嵌入式PECVD载片器,包括正方形的框体(1),其特征是:所述框体(1)的边长与第一种规格的硅片载体器的边长相等,框体(1)一面为第一正方形(2),另一面为第二正方形(3),两者在高度上形成台阶;且第一正方形(2)大于第二正方形(3)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡绿波新能源设备有限公司,未经无锡绿波新能源设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110338132.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的