[发明专利]一种电子设备辐射耦合电磁敏感性仿真方法

摘要

本发明公开了一种电子设备辐射耦合电磁敏感性仿真方法，该方法具体步骤为：第一步建立电子设备的电路物理模型；第二步设置电子设备辐射耦合电磁敏感性仿真的约束条件；第三步在三维电磁仿真软件HFSS中进行电子设备的电磁敏感性仿真。本发明仿真方法能够较好地模拟电子设备所面临的电磁环境，通过电磁敏感性仿真获得该类电子设备的电磁敏感性的谐振频率RFAA和强耦合频点QFAA。本发明仿真方法仿真精度高，与实测误差较小。

主权项

1.一种电子设备辐射耦合电磁敏感性仿真方法，该仿真方法在三维电磁仿真软件HFSS中被调用；其特征在于该仿真方法包括有下列步骤：第一步：构建电子设备的电路物理模型FAA依据待仿真的电子设备电路板图PCB和电子设备屏蔽板图PCC构建得到电路物理模型FAA；所述电子设备电路板图PCB是在三维电磁仿真软件HFSS下，以介质板P_PCB、相对介电常数e_PCB和相对磁导率δ_PCB进行仿真获得；所述电子设备屏蔽板图PCC是在三维电磁仿真软件HFSS下，以介质板P_PCC、相对介电常数e_PCC和相对磁导率δ_PCC进行仿真获得；第二步：设置辐射耦合仿真条件FBB基于电磁场与微波技术理论，设置辐射耦合仿真条件FBB中的各元素：仿真频率Ff、电磁波类型FTT、极化方向FJD、照射角度FA、电场强度FE和辐射耦合边界条件FBJ；所述仿真频率Ff＝300MHz～1GHz；所述电磁波类型FTT包括有连续平面波、正弦波、或者方波；所述极化方向FJD包括有水平极化方向和垂直极化方向；所述照射角度FA包括有0度、45度、或者90度；所述电场强度FE＝15V/m～50V/m；所述辐射耦合边界条件FBJ是取辐照电磁波的波长λ的1/2，即且其中，波长λ是指仿真频率Ff对应的波长；第三步：获得辐射耦合电磁敏感性依据辐射耦合仿真条件FBB对电路物理模型FAA在三维电磁仿真软件HFSS中进行辐射耦合电磁敏感性仿真处理，获得电路物理模型FAA中的谐振频率R_FAA和强耦合频点Q_FAA；所述谐振频率R_FAA是指FE_ij取最大值时Ff_j；所述强耦合频点Q_FAA是指FE_ij取最大值时对应的频率点；所述三维电磁仿真软件HFSS中调用的与辐射耦合仿真条件FBB的匹配关系为HFSS=FEij=∫Ω▿FJDj·▿FJDi·dΩFfj=∫ΩFJDj·q·dΩFBJj=∫ΓFJDj·h·dΓ,]]>其中，FE_ij表示第i行第j列的电磁场的强度，i表示行号，j表示列号；表示空间电磁场在第i行切向方向上的旋度；表示空间电磁场在第j列切向方向上的旋度；Ω表示边界条件内的空间，dΩ表示边界条件内的空间的积分；Ff_j表示第j列上的频率；q表示电荷；FBJ_j表示第j列的边界条件；h表示边界条件的误差系数；Γ表示边界条件空间Ω中的边，dΓ表示边界条件空间Ω中边的积分。