[发明专利]一种SnO2三维多孔光子非晶半导体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201110329561.2 | 申请日： | 2011-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102503167A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 廖娜;郁可;张正犁;朱自强 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | C03C17/23 | 分类号： | C03C17/23 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SnO2三维多孔光子非晶半导体材料，包括玻璃衬底和生长在所述玻璃衬底表面的SnO2三维多孔光子非晶结构晶体。本发明还提出了一种SnO2三维多孔光子非晶半导体材料的制备方法，将SnCl2·2H2O结晶体、无水乙醇和去离子水混合制备为前驱体溶液，以桃脸鹦鹉羽毛切片为模板，利用溶胶凝胶法填充模板再高温去除模板进行制备。本发明制备方法具有成本低、重复性高等优点，所制备的SnO2三维多孔光子非晶半导体材料在光电器件方面和光子局域化研究方面具有良好应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sno sub 三维 多孔 光子 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SnO2三维多孔光子非晶半导体材料，其特征在于，包括玻璃衬底和生长在所述玻璃衬底表面的SnO2三维多孔光子非晶结构晶体。
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