[发明专利]多晶硅的破碎装置以及多晶硅破碎物的制造方法有效
| 申请号： | 201110324815.1 | 申请日： | 2011-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN102553671A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 松崎隆浩;小滝俊介 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | B02C4/08 | 分类号： | B02C4/08;B02C4/30 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 齐葵;王诚华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够防止多晶硅的块未被破碎就通过，能够将多晶硅高效地破碎为希望大小的块的多晶硅的破碎装置以及多晶硅破碎物的制造方法。所述多晶硅的破碎装置，在围绕平行的轴线相互反向旋转的一对辊之间夹入块状的多晶硅以进行破碎，在辊(3)的外周面上径向向外突出设置有高度不同的多个破碎齿(5)，高度高的破碎齿(5L)与高度低的破碎齿(5S)至少在辊(3)的圆周方向或宽度方向上交替设置，并且在两个辊(3)的破碎齿(5)之间最接近的位置上，高度高的破碎齿(5L)与高度低的破碎齿(5S)的前端彼此对置设置。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 破碎 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅的破碎装置，在围绕平行的轴线相互反向旋转的一对辊之间夹入块状的多晶硅以进行破碎，其特征在于，在所述辊的外周面上设置有径向向外突出的高度不同的多个破碎齿，高度高的所述破碎齿与高度低的所述破碎齿至少在所述辊的圆周方向或宽度方向上交替设置，并且在两个辊的所述破碎齿之间最接近的位置上，高度高的所述破碎齿与高度低的所述破碎齿的前端彼此对置设置。
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