[发明专利]铁铂纳米团簇磁记录媒体有效
申请号: | 201110324437.7 | 申请日: | 2011-10-24 |
公开(公告)号: | CN103065646A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 徐永兵;杨阳 | 申请(专利权)人: | 南通海纳电子纳米科技有限公司 |
主分类号: | G11B5/62 | 分类号: | G11B5/62;G11B5/851 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 226009 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明是一种通过结合纳米孔阳极氧化铝模版的纳米压印刻蚀,把氧化铝模版的结构传印到铁铂薄膜而形成具有超高密度的铁铂纳米点阵磁数据信息存储媒体的技术。此铁铂纳米点阵磁存储媒体的数据信息存储密度(在500Gb/in2到5Tb/in2之间),取决于纳米孔阳极氧化铝模版的孔径尺寸(从100纳米到10纳米)。具体讲,使用25纳米的孔尺寸的模版,铁铂纳米点阵磁记录媒体数据信息存储为1Tb(1012)/in2。 | ||
搜索关键词: | 纳米 团簇磁 记录 媒体 | ||
【主权项】:
一种铁铂纳米点阵磁数据存储媒体,其特征在于:通过把纳米孔阳极氧化铝模版(以下简称模版)的纳米结构传印到铁铂薄膜,进而加工出高密度的铁铂纳米点阵磁存储媒体。
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