[发明专利]一种碳基纳米管同轴异质结及其模板法组装工艺无效
申请号: | 201110318240.2 | 申请日: | 2011-10-19 |
公开(公告)号: | CN102502573A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 佟钰;高见;曾尤;赵金波;李晓 | 申请(专利权)人: | 沈阳建筑大学 |
主分类号: | C01B31/02 | 分类号: | C01B31/02;B82Y40/00 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明涉及一维纳米材料领域,特别是提供了一种碳基纳米管同轴异质结及其模板法组装工艺。异质结由外径相同的纯碳纳米管、N-掺杂碳纳米管或B-掺杂碳纳米管在其长度方向上同轴对接而成,碳基纳米管片段的外径相同,化学成分有差异,异质结外径、长度、壁厚根据需要调整。以阳极氧化铝孔道为模板,采用化学气相沉积过程与等离子体刻蚀工艺相结合,在同一模板上实现纳米管的累次生长和连接,从而获得同轴异质结。化学气相沉积过程采用不同反应源以生长所需成分的碳基纳米管,等离子体刻蚀可切除部分纳米管形成纳米管片段。本发明实现不同形式、成分、尺寸碳基纳米管异质结的控制合成,产物重复性好,工艺可调控性强,符合微电子行业发展的需要。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 同轴 异质结 及其 模板 组装 工艺 | ||
【主权项】:
一种碳基纳米管同轴异质结,其特征在于,该异质结由不同成分碳基纳米管片段在其长度方向上以同轴无缝对接而成,碳基纳米管为纯碳纳米管、N‑掺杂碳纳米管或B‑掺杂碳纳米管;碳基纳米管片段的外径相同,化学成分有差异,异质结外径在10nm‑100nm范围调整控制,长度、壁厚根据需要调整。
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