[发明专利]一种基于金属原位晶体学及磁畴表征金属磁记忆检测的方法有效

专利信息
申请号: 201110309984.8 申请日: 2011-10-13
公开(公告)号: CN102520058A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 张鸥;徐学东;张海;张登宇;安栋 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: G01N27/83 分类号: G01N27/83
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 沈波
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种基于金属原位晶体学及磁畴表征金属磁记忆检测的方法,属于金属磁记忆无损检测研究领域。将金属材料本身作为研究对象,在不同应力状态下(拉伸不同阶段或者疲劳不同次数),利用bitter粉纹法测得对应的磁畴图,利用SEM-EBSD系统测得SEM形貌和取向等晶体学信息。从而得到金属材料的晶体学信息、磁畴与应力的关系。本发明结合金属材料本身得到材料微观尺度磁信号大小和磁矩的方向以及晶体学信息,去除了材料本身以外其他因素的干扰,具有良好的可靠性,克服了上述实际应用中的误差。
搜索关键词: 一种 基于 金属 原位 晶体学 表征 记忆 检测 方法
【主权项】:
一种基于金属原位晶体学及磁畴表征金属磁记忆检测的方法,其特征在于,包括如下步骤:1)以金属材料作为研究对象,将不同拉伸或疲劳状态下的样品,通过Bitter粉纹法得到样品的磁畴图,从而得到样品表面磁信号大小和磁矩的方向,进而建立不同拉伸阶段或不同疲劳状态下样品内部应力‑磁信号大小和磁矩的方向的一一对应关系;2)用配备EBSD的SEM原位测定与步骤(1)相应拉伸阶段或疲劳状态下的组织形貌、晶粒取向晶体学信息,进而建立与不同拉伸阶段或不同疲劳状态下样品相应的应力‑组织形貌、晶粒取向晶体学信息的一一对应关系;3)结合步骤(1)和(2),将同一拉伸阶段或疲劳状态下的应力、磁信号大小和磁矩的方向、组织形貌和晶粒取向晶体学信息一一对应,得到不同应力下微观晶体学及磁信息的一一对应关系,最终得到用晶体学及磁畴表征金属磁记忆无损检测;其中步骤(2)的原位指的是与步骤(1)中观察磁畴同一研究微区。
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