[发明专利]一种钴白合金脱硅的方法无效

专利信息
申请号: 201110309215.8 申请日: 2011-10-13
公开(公告)号: CN102321824A 公开(公告)日: 2012-01-18
发明(设计)人: 尹飞;江培海;王振文;王吉坤;杨小华;阮书锋 申请(专利权)人: 北京矿冶研究总院
主分类号: C22C3/00 分类号: C22C3/00;C22C1/02;B22F9/08;C22B23/00;C22B15/00
代理公司: 中国有色金属工业专利中心 11028 代理人: 李迎春;李子健
地址: 100044 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种钴白合金脱硅的方法,涉及一种用高硅钴白合金为原料制备电铜、高纯钴盐的工艺的方法。其特征在于其脱硅过程的步骤依次包括:(1)将钴白合金熔化;(2)加入脱硅剂反应;(3)再加入造渣剂造渣;(4)将造渣从熔体中分离;(5)将分离渣后的熔体雾化成合金粉末,用于回收镍钴铜。本发明的一种钴白合金脱硅的方法,造渣剂易于得到,价格便宜;脱硅剂可以是废氧化钴、废氧化铜、废钴酸锂、粗制氢氧化高钴等,有利于原料的综合回收;脱硅后的合金直接进行雾化制粉;脱硅后的合金,可以稳定生产出含硅2%以下的合金粉末。由于含硅小于3%,可采用常规的浸出方式回收钴、铜,后续处理容易,操作简便,金属回收率高,应用前景好。
搜索关键词: 一种 合金 方法
【主权项】:
一种钴白合金脱硅的方法,其特征在于其脱硅过程的步骤依次包括:(1)将钴白合金熔化;(2)加入脱硅剂反应;(3)再加入造渣剂造渣,(4)将造渣从熔体中分离;(5)将分离渣后的熔体雾化成合金粉末,用于回收钴铜镍。
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