[发明专利]一种使用异形多晶料生产硅单晶的区熔炉控制系统及控制方法有效
| 申请号： | 201110308209.0 | 申请日： | 2011-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102321911A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 张雪囡;康冬辉;李建弘;王彦君;高树良;沈浩平;刘嘉 | 申请（专利权）人： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/30 | 分类号： | C30B13/30;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种使用异形多晶料生产硅单晶的区熔炉控制系统及控制方法。系统包括与偏移电机连接的区熔炉运动控制器、至少三个测距仪和一个PLC控制器，三个测距仪分别与PLC控制器连接，PLC控制器与区熔炉运动控制器连接。PLC控制器实时将区熔炉上轴的偏移向量数据传输给区熔炉运动控制器，区熔炉运动控制器控制偏移电机驱动区熔炉上轴的X轴和Y轴进行偏移，使整个异形多晶料的任意截面在到达固液交界面时得圆心都是居中的。采用改造后的本控制系统及控制方法，解决了在区熔硅单晶的生产中，使用异形多晶料棒容易导致熔区的偏心，进而导致由于熔区与线圈的接触容易引起打火，以及还易导致区熔硅单晶的断苞的问题，从而确保产品质量的稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 异形 多晶 生产 硅单晶 熔炉 控制系统 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种使用异形多晶料生产硅单晶的区熔炉控制系统，包括与区熔炉上轴的X轴和Y轴偏移电机相连接的区熔炉运动控制器，其特征在于，还包括至少三个测距仪和一个PLC控制器，三个测距仪分别为第一测距仪（1）、第二测距仪（2）和第三测距仪（3），三个测距仪固定在区熔炉壁同一高度上，且分别与PLC控制器连接，PLC控制器与区熔炉运动控制器连接。
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