[发明专利]基于P波段星载SAR的电离层不规则体衍射成像方法无效
申请号: | 201110301508.1 | 申请日: | 2011-10-09 |
公开(公告)号: | CN103033810A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 李芳;李廉林;郑虎 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电子学研究所 |
主分类号: | G01S13/90 | 分类号: | G01S13/90 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于P波段星载SAR的电离层不规则体衍射成像方法,涉及雷达成像技术,包括步骤:1)从星载P波段SAR时域回波信号中分离出电离层信号;2)然后采用SAR成像确定目标大致范围、位置;3)根据电场积分方程建立雷达回波与电离层电子密度之间的关系;4)最后采用衍射成像的方法对不规则体进行成像。本发明方法简单、易行,解决了电离层不规则体成像中计算量及存储量大的问题。 | ||
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【主权项】:
一种基于P波段星载SAR的电离层不规则体衍射成像方法,其特征在于,包括步骤:步骤一:调整SAR时间窗,并从时域回波中截取电离层不规则体的散射回波数据;步骤二:用电离层不规则体的散射回波数据进行SAR成像,确定不规则体目标的大致范围、位置;步骤三:对步骤二中确定的范围、位置进行剖分,根据电场积分方程建立散射场与电离层电子密度之间的关系;步骤四:采用衍射成像的方法对电离层不规则体进行成像。
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