[发明专利]一种改良的多晶硅太阳电池变温扩散工艺的方法

摘要

本文公开了一种改良的多晶硅太阳电池变温扩散工艺的方法。其过程主要包括以下几个步骤：1）氧化；2）扩散；3）升温；4）深扩散；5）饱和；6）降温。本发明的方法特点是在扩散制结过程中加入一步升温过程，这样可以很有效的控制扩散制结过程中，因炉管各温区控温系统不稳而引起的温度波动。由于保证了扩散时温度的稳定，方块电阻片间均匀性以及电池片转换效率都得到了有效的保证。本发明操作方便，可以在炉管中连续进行，并且不增加生产成本。

主权项

一种改良的多晶硅太阳电池变温扩散工艺的方法，其步骤主要分为以下六步：1）将硅片放入扩散炉中，将温度控制在810℃~820℃，再通入25000sccm的大氮和3000sccm干氧，通入时间为300s；2）进行扩散，将温度控制在810℃~820℃，再通入25000sccm的大氮，1200sccm的干氧和1500sccm的小氮，通入时间控制在600s；3）进行升温处理，将温度升到860℃~870℃，并通入大氮和干氧，升温时间为300s；4）进行深扩散，将温度控制在860℃~870℃，再通入25000sccm的大氮，1200sccm的干氧和1500sccm的小氮，扩散时间为1300s；5）饱和：通入25000sccm的大氮和2000sccm的干氧，其中通入时间为500s；6）进行降温处理，将硅片取出。