[发明专利]一种热压烧结高致密度氧化镁靶材的制备方法无效
| 申请号： | 201110295547.5 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103030380A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 韩绍娟;许壮志;薛健;张明;张翠敏;吴学坤 | 申请（专利权）人： | 沈阳临德陶瓷研发有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/645 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 甄玉荃 |
| 地址： | 110400 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种热压烧结高致密度氧化镁靶材的制备方法，主要解决了现有技术易变形、成品率低、成本较高及靶材纯度低的技术问题。该方法包括：a、称取一定量高纯度、纳米级氧化镁粉体，按要求制备的靶材的直径选择相同直径的模具。b、将模具放入热压烧结炉体中，采用振动漏斗法装料，测量并保证模具内各局部粉体堆积的高度相同。c、抽真空、升温加压、保压，直至氧化镁靶材烧结尺寸达到设计值。本发明具有制备工艺简单、能快速使制品致密化，其所制备的产品具有密度高、晶粒细等优点。并且不会引入其他杂质，烧结时产品不易产生变形开裂，成品率高，采用本方法可以制备出高致密高纯度氧化镁靶材。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 热压 烧结 致密 氧化镁 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种热压烧结高致密度氧化镁靶材的制备方法，该方法包括：a、称取一定量高纯度、纳米级氧化镁粉体，选取按要求制备的靶材的直径选择相同直径的模具；b、将模具放入热压烧结炉的炉体中，采用振动漏斗法装料，测量并保证模具内各局部粉体堆积的高度相同；c、抽真空、加温、加压，直至氧化镁靶材烧结尺寸达到设计值。
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