[发明专利]光传感器和光传感器阵列有效
| 申请号： | 201110294330.2 | 申请日： | 2011-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102420237A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 宫泽敏夫;长谷川笃;齐藤辉儿;安田好三;米仓健史 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立显示器;松下液晶显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L27/14 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;孟祥海 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 光传感器包括：由金属膜构成的下部电极；设置在上述下部电极之上的无定形硅膜；设置在上述无定形硅膜之上的n型无定形硅膜；设置在上述n型无定形硅膜之上、且被输入第一基准电压的上部电极；在导通状态时向上述下部电极输入第一电源电压、在截止状态时使上述下部电极为浮置状态的开关电路；在上述开关电路为导通状态时，检测向上述无定形硅膜照射预定期间的光后的上述下部电极的电压变化的检测电路。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 阵列 | ||
【主权项】：
一种光传感器，其特征在于，包括：由金属膜构成的下部电极；设置在上述下部电极之上的无定形硅膜；设置在上述无定形硅膜之上的n型无定形硅膜；设置在上述n型无定形硅膜之上、且被输入第一基准电压的上部电极；在导通状态时向上述下部电极输入第一电源电压、在截止状态时使上述下部电极为浮置状态的开关电路；在上述开关电路为导通状态时，检测向上述无定形硅膜照射预定期间的光后的上述下部电极的电压变化的检测电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立显示器;松下液晶显示器株式会社，未经株式会社日立显示器;松下液晶显示器株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110294330.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种治疗湿疹的汤剂
- 下一篇：一种治疗胸痹的中药组合物
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
