[发明专利]静电放电保护装置有效
申请号: | 201110289658.5 | 申请日: | 2011-09-21 |
公开(公告)号: | CN103022997A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 何介暐 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H02H9/00 | 分类号: | H02H9/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是有关于一种静电放电保护装置,电性连接在焊垫与内部电路之间,并包括电容、第一电阻、压降元件以及NMOS晶体管。电容的第一端电性连接焊垫。第一电阻的第一端电性连接电容的第二端,第一电阻的第二端电性连接至接地端。NMOS晶体管与压降元件串接在焊垫与接地端之间,且NMOS晶体管的栅极电性连接电容的第二端,NMOS晶体管的源极电性连接至接地端。本发明利用NMOS晶体管与压降元件的串接结构来致使NMOS晶体管不易被触发。这样尽管输入信号的上升时间变小,耦合至NMOS晶体管的栅极的输入信号也将不易触发NMOS晶体管。藉此,本发明将可以应用在高速操作的集成电路,且静电放电保护装置中的漏电流也可被降低。 | ||
搜索关键词: | 静电 放电 保护装置 | ||
【主权项】:
一种静电放电保护装置,电性连接在一焊垫与一内部电路之间,其中该内部电路通过该焊垫接收一输入信号,其特征在于该静电放电保护装置包括:一电容;一第一电阻,与该电容串接在该焊垫与一接地端之间;一NMOS晶体管,其中该NMOS晶体管的漏极电性连接该焊垫,该NMOS晶体管的栅极电性连接该电容与该第一电阻之间的一连接节点,该NMOS晶体管的源极电性连接该接地端;以及一压降元件,电性连接在该NMOS晶体管的源极与该接地端之间。
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