[发明专利]一种掺氮氧化锌薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201110287076.3 申请日: 2011-09-23
公开(公告)号: CN102304700A 公开(公告)日: 2012-01-04
发明(设计)人: 刘键;饶志鹏;万军;夏洋;李超波;陈波;黄成强;石莎莉;李勇滔 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: C23C16/40 分类号: C23C16/40;H01L21/365;H01L31/0296;H01L31/18
代理公司: 北京市德权律师事务所 11302 代理人: 刘丽君
地址: 100029 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及氧化锌制备的技术领域,具体涉及一种掺氮氧化锌薄膜的制备方法。所述制备方法,包括:将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中;向原子层沉积设备反应腔中通入含锌源气体,含锌源气体中的锌原子吸附在硅衬底上;以氮气为载气向原子层沉积设备反应腔中输送氢气,同时进行等离子体放电;向原子层沉积设备反应腔中通入含氧源,未与氮原子反应的锌原子与含氧源中的氧原子形成锌氧键;重复上述步骤即可逐层生长含氮原子的氧化锌薄膜。本发明利用ALD设备对氧化锌薄膜进行氮掺杂,该方法简单易行,利用原子层沉积单层循环生长的特点,在氧化锌薄膜生长的过程中实现均匀的在整个薄膜结构中掺杂氮原子,使得掺杂后的薄膜结构完整,性能显著。
搜索关键词: 一种 氧化锌 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种掺氮氧化锌薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤(1),将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中;步骤(2),向所述原子层沉积设备反应腔中通入含锌源气体,所述含锌源气体中的锌原子吸附在所述硅衬底上;步骤(3),以氮气为载气向原子层沉积设备反应腔中输送氢气,同时进行等离子体放电,所述氮气电离后部分氮原子与部分所述锌原子形成共价键,氮原子未成键的电子和电离的氢原子成键;步骤(4),向原子层沉积设备反应腔中通入含氧源,未与所述氮原子反应的锌原子与所述含氧源中的氧原子形成锌氧键;步骤(5),重复步骤(2)、(3)、(4)即可逐层生长含氮原子的氧化锌薄膜。
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