[发明专利]太阳能薄膜电池制造方法及其缓冲层修复方法无效
| 申请号： | 201110269601.9 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102969389A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 林信宏;谢季桦 | 申请（专利权）人： | 力铼光电科技(扬州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 赵根喜;冯志云 |
| 地址： | 225131 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能薄膜电池的制造方法及其缓冲层修复方法，所述太阳能薄膜电池缓冲层修复方法包括步骤：步骤1：通过物理方法和/或化学方法移除检验出现异常的所述缓冲层；步骤2：再次形成所述缓冲层。本发明的缓冲层修复方法，避免了缓冲层成膜异常时只能将太阳能电池基板废弃所带来的物料和人工的浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能 薄膜 电池 制造 方法 及其 缓冲 修复 | ||
【主权项】：
一种太阳能薄膜电池的缓冲层修复方法，用于的缓冲层修复，其特征在于，所述缓冲层修复方法包括步骤：步骤S100：通过物理方法和/或化学方法移除检验出现异常的所述缓冲层；步骤S200：再次形成所述缓冲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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