[发明专利]存储元件和存储装置无效
| 申请号： | 201110265536.2 | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102403458A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 服部真之介;国清敏幸;中本光则;保田周一郎 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C16/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了存储元件和存储装置，所述存储元件和所述存储装置均具有较小范围的元件间电特性差异。所述存储元件包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极。所述存储层包括电阻变化层和离子源层，所述电阻变化层包括多个层，这些层中的可移动原子的扩散系数相互不同，所述离子源层布置在所述电阻变化层与所述第二电极之间。所述存储装置包括脉冲施加部和多个上述存储元件，所述脉冲施加部选择性地向所述多个存储元件施加电压脉冲或电流脉冲。在本发明的存储元件或者存储装置中，能够防止擦除后在所述电阻变化层中产生任何可能的电子定域格点。这就减小了元件间的电特性差异的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 装置 | ||
【主权项】：
一种存储元件，其包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极，其中，所述存储层包括：电阻变化层，所述电阻变化层包括多个层，这些层中的可移动原子的扩散系数相互不同；以及离子源层，所述离子源层布置在所述电阻变化层与所述第二电极之间。
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