[发明专利]存储元件和存储装置

权利要求书

1.一种存储元件，其包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极，其中，所述存储层包括：

电阻变化层，所述电阻变化层包括多个层，这些层中的可移动原子的扩散系数相互不同；以及

离子源层，所述离子源层布置在所述电阻变化层与所述第二电极之间。

2.根据权利要求1所述的存储元件，其中，

所述电阻变化层包括位于所述第一电极侧的第一层以及位于所述第一层与所述离子源层之间的第二层，并且

所述第一层中的所述可移动原子的扩散系数在室温下为1.0×10^-21m²/s以下。

3.根据权利要求2所述的存储元件，其中，所述第一层包括硅、铝、镍、钯、锰、铁、钴、钙、镁、钆、锌、钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨和镧中的至少一种，并且包括氧、碲、硫和硒中的至少一种。

4.根据权利要求2所述的存储元件，其中，所述第二层包括硅、铝、镍、钯、锰、铁、钴、钙、镁、钆、锌、钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨和镧中的至少一种，并且包括氧、碲、硫和硒中的至少一种。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的存储元件，其中，通过向所述第一电极和所述第二电极施加电压，使得所述离子源层中所包含的可移动原子迁移到所述电阻变化层中，由此形成低电阻部，并且所述电阻变化层呈现出电阻值的变化。

6.根据权利要求2至4中任一项所述的存储元件，其中，在移动到所述电阻变化层的所述可移动原子中，所述第一层中的所述可移动原子的化学势高于所述第二层中的所述可移动原子的化学势。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的存储元件，其中，所述离子源层包括铜、银、锌和铝中的至少一种。

8.一种存储装置，其包括：

多个存储元件，各个所述存储元件是如权利要求1至7任一项所述的存储元件；以及

脉冲施加部，所述脉冲施加部选择性地向所述多个存储元件施加电压脉冲或电流脉冲。