[发明专利]一种带电流补偿的高压稳压电路

摘要

本发明公开了一种应用于半导体集成电路领域，带电流补偿的高压稳压电路，包括：一外部电源VDD连接NMOS管M4漏极，通过电阻R1连接PMOS管M1源极，通过电阻R2连接NMOS管M6漏极；PMOS管M1栅极连接其漏极，其漏极连接NMOS管M2漏极，其衬底与其源极连接；NMOS管M2栅极连接其漏极，其源极连接NMOS管M3漏极；NMOS管M3栅极连接其漏极，其源极连接晶体管D1发射极；NMOS管M4其栅极连接NMOS管M1源极，其源极连接内部电源；NMOS管M5漏极连接NMOS管源极，其栅极连接NMOS管M6栅极，其源极连接晶体管D2发射极；NMOS管M6栅极与其漏极连接，其源极连接晶体管D3发射极；晶体管D1、D2、D3其各的自基极连接其各自的集电极后连接地。本发明的高压稳压电路能降低稳压电路功耗，提高稳压电路驱动能力。

主权项

一种带电流补偿的高压稳压电路，其特征是，包括：一外部电源VDD连接电阻R1的一端、电阻R2的一端和高压NMOS管M4的漏极，电阻R1的另一端连接PMOS管M1的源极，电阻R2的另一端连接NMOS管M6的漏极；PMOS管M1的栅极连接其漏极，其漏极连接NMOS管M2的漏极，其衬底连接其源极；NMOS管M2的栅极连接其漏极，其源极连接NMOS管M3的漏极，其衬底连接地；NMOS管M3的栅极连接其漏极，其源极连接双极结型晶体管D1的发射极，其衬底连接地；高压NMOS管M4的栅极连接NMOS管M1的源极，其源极连接内部电源，其衬底连接地；NMOS管M5的漏极连接NMOS管M1的源极，其栅极连接NMOS管M6的栅极，其源极连接双极结型晶体管D2的发射极，其衬底连接地；NMOS管M6的栅极与其漏极连接，其源极连接双极结型晶体管D3的发射极，其衬底连接地；双极结型晶体管D1、D2和D3其各自的基极连接其各自的集电极后连接地。