[发明专利]一种测量FET沟道温度的装置及方法有效
| 申请号： | 201110259249.0 | 申请日： | 2011-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102435343A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 王建辉;刘新宇;王鑫华;庞磊;陈晓娟;袁婷婷;罗卫军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01K11/00 | 分类号： | G01K11/00 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测量FET沟道温度的装置，属于集成电路技术领域。该装置将高低温探针台和脉冲分析仪联用，在FET栅端施加脉冲电压，从而测量FET沟道温度；该装置结构简单，使用简便、快捷，成本低廉。同时，本发明还公开了利用该装置测量FET沟道温度的方法，该方法利用了FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系，简便、快速；该方法不需要使用数学方法进行拟合、求解和外推，数据处理过程可以消除测量系统中的系统误差，从而提高测量的精度。并且，FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系曲线可以用于分析FET的热阻、制定FET的散热策略、确定FET加速寿命条件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 fet 沟道 温度 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种测量FET沟道温度的装置，其特征在于，包括高低温探针台，脉冲分析仪，以及，第Ⅰ探针，第Ⅱ探针、第Ⅲ探针，FET置于所述高低温探针台上，所述脉冲分析仪利用所述第Ⅰ探针在所述FET的栅端施加脉冲电压，所述脉冲分析仪利用所述第Ⅱ探针在所述FET的漏端施加波形呈阶梯状的电压，所述FET的源端利用所述第Ⅲ探针与所述脉冲分析仪共同接地。
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