[发明专利]一种电池的充电保护电路有效

专利信息
申请号: 201110256841.5 申请日: 2011-09-01
公开(公告)号: CN102315626A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 田庆安;孟令勇;周培志;韩笑 申请(专利权)人: 河南省交通科学技术研究院有限公司
主分类号: H02H7/18 分类号: H02H7/18
代理公司: 西安吉盛专利代理有限责任公司 61108 代理人: 张培勋
地址: 450006 *** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明涉及一种保护电路,特别是一种电池的充电保护电路,其特征是:它至少包括:充电电池、芯片S-8261AAGMD,通行卡电源正极DISC+和通行卡电源负极DISC-,向充电电池充电的正极CHR+、负极CHR-和控制端B,向充电电池充电的正极CHR+和通行卡电源正极DISC+之间串接有MOSFET管Q1,MOSFET管Q1的控制端与充电电池充电的控制端B电连接,向充电电池充电的正极端充电,充电电池充电的负极CHR-通过串接的MOSFET复合管Q3与充电电池负极电连接,MOSFET复合管Q3的两个控制端分别与芯片S-8261AAGMD的1脚DO和3脚CO电连接。它提供了一种电路简单、可靠性好的电池的充电保护电路。
搜索关键词: 一种 电池 充电 保护 电路
【主权项】:
一种电池的充电保护电路,其特征是:它至少包括:充电电池、芯片S 8261AAGMD,通行卡电源正极DISC+和通行卡电源负极DISC ,向充电电池充电的正极CHR+、负极CHR 和控制端B,向充电电池充电的正极CHR+和通行卡电源正极DISC+之间串接有MOSFET管Q1,MOSFET管Q1的控制端与充电电池充电的控制端B电连接,向充电电池充电的正极端充电,充电电池充电的负极CHR 通过串接的MOSFET复合管Q3与充电电池负极电连接,MOSFET复合管Q3的两个控制端分别与芯片S 8261AAGMD的1脚DO和3脚CO电连接。
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