[发明专利]CIGS太阳能光电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种CIGS太阳能光电池及其制备方法，包括依次形成于导电衬底上的CIGS活性层、n型半导体层、窗口层、透明电极层和采集电极，该n半导体层与CIGS活性层形成PN结，该CIGS活性层具有光子晶体结构，其厚度在0.5μm～10μm之间；其制备方法包括依次在导电衬底上形成前述结构层的工序，其中，在导电衬底上形成CIGS活性层的操作具体为：首先采用溶液法在导电衬底上覆设CIGS层，再按照设定光子晶体结构采用压印技术将CIGS层加工成型，最后在200-1000℃退火形成连续的CIGS活性层。本发明太阳能光电池因具有光子晶体结构的CIGS活性层，对光的吸收效率和转换效率得以大幅提高，且制备工艺简单，成本低廉，并具有良好的可控性，使大规模、低成本的生产CIGS太阳能光电池成为可能。

主权项

一种CIGS太阳能光电池，包括依次形成于导电衬底上的CIGS活性层、n型半导体层、窗口层、透明电极层和采集电极，该n半导体层与CIGS活性层形成PN结，其特征在于：所述CIGS活性层具有光子晶体结构，其厚度在0.5μm～10μm之间。